Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate30000
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra