Referinta: BAT-3V-CR2032 1
Marca: Energizer
Baterie litiu - 3V - CR2032 BAT-3V-CR2032
Filtrare dupa
Categorii
Categorii
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Pret
Pret
3,00 lei - 1.529,00 lei
Blue banner
Subcategorii
Sunt 24 produse.
Referinta: BAT-3V-CR2032 1
Marca: Energizer
Referinta: ESM-850M 1
Marca: Primatech
Detectorul ESM 850M este proiectat sa detecteze scurgeri accidentale de gaz metan, butan, propan. Elementul de baza al detectorului este senzorul semiconductor sensibil la gaz, de mare fiabilitate, durata lunga, rezistent la coroziune. Se remarca foarte b
Referinta: SSDSC2KW512G8X1 3
Marca: INTEL
SSD Intel, 512GB, 545 Series, Generic Single Pack, SATA3, rata transfer r/w: 550/440 mb/s, 2.5", Memory Type: 3D TLC
Referinta: SSDSC2KW128G8X1 3
Marca: INTEL
SSD Intel, 128GB, 545 Series, Generic Single Pack, SATA3, rata transfer r/w: 550/440 mb/s, 2.5", Memory Type: 3D TLC.
Referinta: SSDSC2KW256G8XT 3
Marca: INTEL
SSD Intel, 256GB, 545 Series, SATA3, rata transfer r/w: 550/500 mb/s, 2.5"
Referinta: SSDSC2KW256G8X1 3
Marca: INTEL
SSD Intel, 256GB, 545 Series, Generic Single Pack, SATA3, rata transfer r/w: 550/500 mb/s, 2.5", Memory Type: 3D TLC.
Referinta: BAT-3V-CR2032-1
Marca: Energizer
Referinta: ESM-850M-1
Marca: Primatech
Detectorul ESM 850M este proiectat sa detecteze scurgeri accidentale de gaz metan, butan, propan. Elementul de baza al detectorului este senzorul semiconductor sensibil la gaz, de mare fiabilitate, durata lunga, rezistent la coroziune. Se remarca foarte b
Referinta: SSDPEKKW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2.05 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent
Referinta: SSDPEKKW256G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate205000 IOPSMaximum Random Write Rate265000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW128G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate105000 IOPSMaximum Random Write Rate160000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW512G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKNW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Referinta: SSDPEKNW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Referinta: SSDSC2KW512G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Referinta: SSDSC2KW128G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando